IDB12E120ATMA1 - DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3

Hersteller Teilenummer

IDB12E120ATMA1

Interne Teilenummer

ABC-IDB12E120ATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

66784 Pieces

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Technische Daten für IDB12E120ATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IDB12E120ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 28A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.15V @ 12A

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 150ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F : -

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Supplier Device Package : PG-TO263-3-2

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IDB1 , IDB12E1

Dokumente für IDB12E120ATMA1

Datenblätter : IDB12E120ATMA1.pdf

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