TPH3206LDGB - GANFET N-CH 650V 16A PQFN

Hersteller Teilenummer

TPH3206LDGB

Interne Teilenummer

ABC-TPH3206LDGB

Hersteller

Transphorm

Kurze Beschreibung

GANFET N-CH 650V 16A PQFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

77931 Pieces

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Technische Daten für TPH3206LDGB

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPH3206LDGB

Hersteller : Transphorm

Beschreibung : GANFET N-CH 650V 16A PQFN

Serie : -

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 500µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±18V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 480V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 81W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PQFN (8x8)

Paket / fall : 3-PowerDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TPH3206LDGB

Datenblätter : TPH3206LDGB.pdf

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