PMDPB56XN,115 - MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

Hersteller Teilenummer

PMDPB56XN,115

Interne Teilenummer

ABC-PMDPB56XN,115

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

52702 Pieces

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Technische Daten für PMDPB56XN,115

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PMDPB56XN,115

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 73 mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 170pF @ 15V

Leistung max : 510mW

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad

Supplier Device Package : DFN2020-6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : PMDP , PMDPB5

Dokumente für PMDPB56XN,115

Datenblätter : PMDPB56XN,115.pdf

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