VS-2EFH01HM3/I - DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB

Hersteller Teilenummer

VS-2EFH01HM3/I

Interne Teilenummer

ABC-VS-2EFH01HM3/I

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für VS-2EFH01HM3/I

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : VS-2EFH01HM3/I

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 2A

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 16ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 2µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F : -

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-219AB

Supplier Device Package : DO-219AB (SMF)

Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : VS-2 , VS-2EFH

Dokumente für VS-2EFH01HM3/I

Datenblätter : VS-2EFH01HM3/I.pdf

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