SISS65DN-T1-GE3 - MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Hersteller Teilenummer

SISS65DN-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SISS65DN-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SISS65DN-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SISS65DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Serie : TrenchFET® Gen III

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25.9A (Ta), 94A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 138nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4930pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8S

Paket / fall : PowerPAK® 1212-8S

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : SISS65DN-T1-GE3.pdf

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