N0603N-S23-AY - MOSFET N-CH 60V 100A TO-262

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A TO-262
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für N0603N-S23-AY

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : N0603N-S23-AY
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 100A TO-262
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 133nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7730pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-262
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : N060 , N0603N

Dokumente für N0603N-S23-AY

Datenblätter : N0603N-S23-AY.pdf

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