SQJ431EP-T1_GE3 - MOSFET P-CHAN 200V SO8L

Hersteller Teilenummer

SQJ431EP-T1_GE3

Interne Teilenummer

ABC-SQJ431EP-T1_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CHAN 200V SO8L

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

640948 Pieces

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Technische Daten für SQJ431EP-T1_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQJ431EP-T1_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CHAN 200V SO8L

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 213 mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4355pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 83W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8

Paket / fall : PowerPAK® SO-8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SQJ43 , SQJ431E

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Datenblätter : SQJ431EP-T1_GE3.pdf

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