IRFB812PBF - MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB

Hersteller Teilenummer

IRFB812PBF

Interne Teilenummer

ABC-IRFB812PBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IRFB812PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFB812PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 810pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 78W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRFB812PBF

Datenblätter : IRFB812PBF.pdf

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