JANTXV1N3766 - DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Hersteller Teilenummer

JANTXV1N3766

Interne Teilenummer

ABC-JANTXV1N3766

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

59424 Pieces

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Technische Daten für JANTXV1N3766

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : JANTXV1N3766

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Serie : Military, MIL-PRF-19500/297

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 110A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F : -

Befestigungsart : Chassis, Stud Mount

Paket / fall : DO-203AB, DO-5, Stud

Supplier Device Package : DO-5

Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für JANTXV1N3766

Datenblätter : JANTXV1N3766.pdf

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