FDD86110 - MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3

Hersteller Teilenummer

FDD86110

Interne Teilenummer

ABC-FDD86110

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3

RoHS-Status

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Technische Daten für FDD86110

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDD86110

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.5A (Ta), 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.2 mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2265pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.1W (Ta), 127W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D-PAK (TO-252)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDD86110.pdf

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