RQ6E085BNTCR - NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller Teilenummer

RQ6E085BNTCR

Interne Teilenummer

ABC-RQ6E085BNTCR

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für RQ6E085BNTCR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RQ6E085BNTCR

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.4 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 32.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.25W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-457

Paket / fall : SC-74, SOT-457

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : RQ6E085BNTCR.pdf

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