FDMC4435BZ-F126 - MOSFET P-CH 30V 8.5A

Hersteller Teilenummer

FDMC4435BZ-F126

Interne Teilenummer

ABC-FDMC4435BZ-F126

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 8.5A

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FDMC4435BZ-F126

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDMC4435BZ-F126

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 8.5A

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.5A (Ta), 18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2045pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.3W (Ta), 31W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-MLP (3.3x3.3)

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDMC4435BZ-F126.pdf

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