HGT1S10N120BNST - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Hersteller Teilenummer

HGT1S10N120BNST

Interne Teilenummer

ABC-HGT1S10N120BNST

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

363083 Pieces

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Technische Daten für HGT1S10N120BNST

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : HGT1S10N120BNST

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Serie : -

Teilestatus : Active

IGBT-Typ : NPT

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 80A

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A

Leistung max : 298W

Energie wechseln : 320µJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp : Standard

Gate Charge : 100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C : 23ns/165ns

Testbedingung : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr) : -

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Supplier Device Package : TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : HGT1S , HGT1S10

Dokumente für HGT1S10N120BNST

Datenblätter : HGT1S10N120BNST.pdf

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