1N8026-GA - DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-1N8026-GA
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für 1N8026-GA
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1N8026-GA
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 2.5A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : 237pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-257-3
Supplier Device Package : TO-257
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 250°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für 1N8026-GA
Datenblätter : 1N8026-GA.pdf
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