RDD023N50TL - MOSFET N-CH 500V 2A CPT3

Hersteller Teilenummer

RDD023N50TL

Interne Teilenummer

ABC-RDD023N50TL

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 2A CPT3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2303469 Pieces

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Technische Daten für RDD023N50TL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RDD023N50TL

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 2A CPT3

Serie : -

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.4 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 151pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 20W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : CPT3

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für RDD023N50TL

Datenblätter : RDD023N50TL.pdf

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