GP1M010A080H - MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Hersteller Teilenummer

GP1M010A080H

Interne Teilenummer

ABC-GP1M010A080H

Hersteller

Global Power Technologies Group

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

84640 Pieces

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Technische Daten für GP1M010A080H

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : GP1M010A080H

Hersteller : Global Power Technologies Group

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 4.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2336pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 290W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : GP1M , GP1M01

Dokumente für GP1M010A080H

Datenblätter : GP1M010A080H.pdf

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