GSID600A120S4B1 - SILICON IGBT MODULES

Hersteller Teilenummer

GSID600A120S4B1

Interne Teilenummer

ABC-GSID600A120S4B1

Hersteller

Global Power Technologies Group

Kurze Beschreibung

SILICON IGBT MODULES

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

28458 Pieces

Referenzpreis

~~USD 83.61625~~

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Technische Daten für GSID600A120S4B1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : GSID600A120S4B1

Hersteller : Global Power Technologies Group

Beschreibung : SILICON IGBT MODULES

Serie : Amp+™

Teilestatus : Active

IGBT-Typ : -

Aufbau : Half Bridge

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 1130A

Leistung max : 3060W

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 51nF @ 25V

Eingang : Standard

NTC-Thermistor : Yes

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : Module

Supplier Device Package : Module

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : GSID6 , GSID600

Dokumente für GSID600A120S4B1

Datenblätter : GSID600A120S4B1.pdf

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