NVD4810NT4G-TB01 - MOSFET N-CH 30V 54A DPAK

Hersteller Teilenummer

NVD4810NT4G-TB01

Interne Teilenummer

ABC-NVD4810NT4G-TB01

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 54A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für NVD4810NT4G-TB01

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NVD4810NT4G-TB01

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 54A DPAK

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Ta), 54A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 11.5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 12V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.4W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DPAK-3

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für NVD4810NT4G-TB01

Datenblätter : NVD4810NT4G-TB01.pdf

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