PHU11NQ10T,127 - MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533

Hersteller Teilenummer

PHU11NQ10T,127

Interne Teilenummer

ABC-PHU11NQ10T,127

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für PHU11NQ10T,127

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PHU11NQ10T,127

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533

Serie : TrenchMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 57.7W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I-PAK

Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für PHU11NQ10T,127

Datenblätter : PHU11NQ10T,127.pdf

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