A2G35S200-01SR3 - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Hersteller Teilenummer

A2G35S200-01SR3

Interne Teilenummer

ABC-A2G35S200-01SR3

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

38556 Pieces

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Technische Daten für A2G35S200-01SR3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : A2G35S200-01SR3

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Serie : -

Teilestatus : Active

Transistortyp : LDMOS

Frequenz : 3.4GHz ~ 3.6GHz

Gewinnen : 16.1dB

Spannungs - Test : 48V

Aktuelle Bewertung : -

Rauschzahl : -

Aktueller Test : 291mA

Leistung : 180W

Spannung - bewertet : 125V

Paket / fall : NI-400S-2S

Supplier Device Package : NI-400S-2S

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : A2G35 , A2G35S2

Dokumente für A2G35S200-01SR3

Datenblätter : A2G35S200-01SR3.pdf

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