VWM200-01P - MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

Hersteller Teilenummer

VWM200-01P

Interne Teilenummer

ABC-VWM200-01P

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

49647 Pieces

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Technische Daten für VWM200-01P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : VWM200-01P

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 210A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 430nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : -

Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : V2-PAK

Supplier Device Package : V2-PAK

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für VWM200-01P

Datenblätter : VWM200-01P.pdf

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