IRF6810STR1PBF - MOSFET N CH 25V 16A S1

Hersteller Teilenummer

IRF6810STR1PBF

Interne Teilenummer

ABC-IRF6810STR1PBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N CH 25V 16A S1

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

78720 Pieces

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Technische Daten für IRF6810STR1PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF6810STR1PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N CH 25V 16A S1

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A (Ta), 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 25µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1038pF @ 13V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta), 20W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DIRECTFET S1

Paket / fall : DirectFET™ Isometric S1

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRF6 , IRF6810

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Datenblätter : IRF6810STR1PBF.pdf

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