TK50P03M1(T6RSS-Q) - MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3

Hersteller Teilenummer

TK50P03M1(T6RSS-Q)

Interne Teilenummer

ABC-TK50P03M1(T6RSS-Q)

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für TK50P03M1(T6RSS-Q)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK50P03M1(T6RSS-Q)

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3

Serie : U-MOSVI-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 50A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 200µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1700pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 47W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DP

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : TK50P0 , TK50P03M1

Dokumente für TK50P03M1(T6RSS-Q)

Datenblätter : TK50P03M1(T6RSS-Q).pdf

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