RN1119MFV,L3F - X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller Teilenummer

RN1119MFV,L3F

Interne Teilenummer

ABC-RN1119MFV,L3F

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

22589707 Pieces

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Technische Daten für RN1119MFV,L3F

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RN1119MFV,L3F

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Serie : -

Teilestatus : Active

Transistortyp : NPN - Pre-Biased

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V

Widerstand - Basis (R1) : 1 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2) : -

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang : -

Leistung max : 150mW

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SOT-723

Supplier Device Package : VESM

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : RN11 , RN1119

Dokumente für RN1119MFV,L3F

Datenblätter : RN1119MFV,L3F.pdf

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