MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR - IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Hersteller Teilenummer

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

Interne Teilenummer

ABC-MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

Hersteller

Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung

IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

107848 Pieces

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Technische Daten für MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

Hersteller : Micron Technology Inc.

Beschreibung : IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße : 32Gb (512M x 64)

Taktfrequenz : 2133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : -

Speicherschnittstelle : -

Spannungsversorgung : 1.1V

Betriebstemperatur : -30°C ~ 85°C (TC)

Befestigungsart : -

Paket / fall : -

Supplier Device Package : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : MT53D512M6 , MT53D512M64D4NZ

Dokumente für MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

Datenblätter : MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR.pdf

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