TP2635N3-G - MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3

Hersteller Teilenummer

TP2635N3-G

Interne Teilenummer

ABC-TP2635N3-G

Hersteller

Microchip Technology

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für TP2635N3-G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TP2635N3-G

Hersteller : Microchip Technology

Beschreibung : MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 350V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 180mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-92-3

Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TP2635N3-G

Datenblätter : TP2635N3-G.pdf

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