SIZ350DT-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

Hersteller Teilenummer

SIZ350DT-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SIZ350DT-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1221829 Pieces

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Technische Daten für SIZ350DT-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIZ350DT-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

Serie : TrenchFET® Gen IV

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18.5A (Ta), 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.75 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 940pF @ 15V

Leistung max : 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Supplier Device Package : 8-Power33 (3x3)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIZ35 , SIZ350D

Dokumente für SIZ350DT-T1-GE3

Datenblätter : SIZ350DT-T1-GE3.pdf

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