IXFQ12N80P - MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P

Hersteller Teilenummer

IXFQ12N80P

Interne Teilenummer

ABC-IXFQ12N80P

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

213144 Pieces

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Technische Daten für IXFQ12N80P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXFQ12N80P

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P

Serie : HiPerFET™, PolarHT™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 360W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-3P

Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXFQ12N80P

Datenblätter : IXFQ12N80P.pdf

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