SI1062X-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V SC-89

Hersteller Teilenummer

SI1062X-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI1062X-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V SC-89

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

7439201 Pieces

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Technische Daten für SI1062X-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI1062X-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V SC-89

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 8V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 43pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 220mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SC-89-3

Paket / fall : SC-89, SOT-490

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI10 , SI1062X

Dokumente für SI1062X-T1-GE3

Datenblätter : SI1062X-T1-GE3.pdf

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