STP12N60M2 - MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB

Hersteller Teilenummer

STP12N60M2

Interne Teilenummer

ABC-STP12N60M2

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

753088 Pieces

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Technische Daten für STP12N60M2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STP12N60M2

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB

Serie : MDmesh™ M2

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 538pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 85W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : STP12N60M2.pdf

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