SQ1922EEH-T1_GE3 - MOSFET 2N-CH 20V SC70-6

Hersteller Teilenummer

SQ1922EEH-T1_GE3

Interne Teilenummer

ABC-SQ1922EEH-T1_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V SC70-6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

3399179 Pieces

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Technische Daten für SQ1922EEH-T1_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQ1922EEH-T1_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V SC70-6

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 840mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 10V

Leistung max : 1.5W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Supplier Device Package : SC-70-6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SQ192 , SQ1922EE

Dokumente für SQ1922EEH-T1_GE3

Datenblätter : SQ1922EEH-T1_GE3.pdf

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