APT19F100J - MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Hersteller Teilenummer

APT19F100J

Interne Teilenummer

ABC-APT19F100J

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

39793 Pieces

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Technische Daten für APT19F100J

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APT19F100J

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Serie : POWER MOS 8™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 440 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8500pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 460W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Supplier Device Package : ISOTOP®

Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : APT19F100J.pdf

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