FDT86102LZ - MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

Hersteller Teilenummer

FDT86102LZ

Interne Teilenummer

ABC-FDT86102LZ

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDT86102LZ

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1490pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.2W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-223-4

Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDT86102LZ.pdf

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