ALD212900ASAL - MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

Hersteller Teilenummer

ALD212900ASAL

Interne Teilenummer

ABC-ALD212900ASAL

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für ALD212900ASAL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ALD212900ASAL

Hersteller : Advanced Linear Devices Inc.

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

Serie : EPAD®, Zero Threshold™

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 10.6V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id : 10mV @ 20µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 30pF @ 5V

Leistung max : 500mW

Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : 8-SOIC

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : ALD212900ASAL.pdf

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