RUC002N05HZGT116 - 1.2V DRIVE NCH MOSFET

Hersteller Teilenummer

RUC002N05HZGT116

Interne Teilenummer

ABC-RUC002N05HZGT116

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

1.2V DRIVE NCH MOSFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

18975355 Pieces

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Technische Daten für RUC002N05HZGT116

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RUC002N05HZGT116

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : 1.2V DRIVE NCH MOSFET

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 50V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 350mW (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SST3

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : RUC00 , RUC002N0

Dokumente für RUC002N05HZGT116

Datenblätter : RUC002N05HZGT116.pdf

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