TSM10NC65CF C0G - MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S

Hersteller Teilenummer

TSM10NC65CF C0G

Interne Teilenummer

ABC-TSM10NC65CF C0G

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

461013 Pieces

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Technische Daten für TSM10NC65CF C0G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TSM10NC65CF C0G

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1650pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 45W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : ITO-220S

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : TSM10NC65CF C0G.pdf

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