BYR29X-800PQ - DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F

Hersteller Teilenummer

BYR29X-800PQ

Interne Teilenummer

ABC-BYR29X-800PQ

Hersteller

WeEn Semiconductors

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

48152 Pieces

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Technische Daten für BYR29X-800PQ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BYR29X-800PQ

Hersteller : WeEn Semiconductors

Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 8A

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 55ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F : -

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : TO-220-2 Full Pack

Supplier Device Package : TO-220F

Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BYR2 , BYR29X

Dokumente für BYR29X-800PQ

Datenblätter : BYR29X-800PQ.pdf

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