FDB1D7N10CL7 - FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Hersteller Teilenummer

FDB1D7N10CL7

Interne Teilenummer

ABC-FDB1D7N10CL7

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FDB1D7N10CL7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDB1D7N10CL7

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 268A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.65 mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 700µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 163nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11600pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 250W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK (TO-263)

Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FDB1 , FDB1D7

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Datenblätter : FDB1D7N10CL7.pdf

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