IXTY1R4N120PHV - MOSFET N-CH

Hersteller Teilenummer

IXTY1R4N120PHV

Interne Teilenummer

ABC-IXTY1R4N120PHV

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

290948 Pieces

Referenzpreis

~~USD 1.125~~

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Technische Daten für IXTY1R4N120PHV

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTY1R4N120PHV

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH

Serie : Polar™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 666pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 86W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IXTY , IXTY1R4

Dokumente für IXTY1R4N120PHV

Datenblätter : IXTY1R4N120PHV.pdf

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