VS-GT300YH120N - IGBT 1200V 341A 1042W DIAP

Hersteller Teilenummer

VS-GT300YH120N

Interne Teilenummer

ABC-VS-GT300YH120N

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

IGBT 1200V 341A 1042W DIAP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

26418 Pieces

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Technische Daten für VS-GT300YH120N

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : VS-GT300YH120N

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : IGBT 1200V 341A 1042W DIAP

Serie : -

Teilestatus : Active

IGBT-Typ : Trench

Aufbau : Half Bridge

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 341A

Leistung max : 1042W

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.17V @ 15V, 300A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 300µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 36nF @ 30V

Eingang : Standard

NTC-Thermistor : No

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : Double INT-A-PAK (3 + 8)

Supplier Device Package : Double INT-A-PAK

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : VS-G , VS-GT30

Dokumente für VS-GT300YH120N

Datenblätter : VS-GT300YH120N.pdf

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