CSD17313Q2Q1T - MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

Hersteller Teilenummer

CSD17313Q2Q1T

Interne Teilenummer

ABC-CSD17313Q2Q1T

Hersteller

T-I

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

2691808 Pieces

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Technische Daten für CSD17313Q2Q1T

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : CSD17313Q2Q1T

Hersteller : T-I

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

Serie : NexFET™

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 3V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 4A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V

Vgs (Max) : +10V, -8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.4W (Ta), 17W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 6-WSON (2x2)

Paket / fall : 6-WDFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : CSD17313Q2Q1T.pdf

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