TK4A60DB(STA4,Q,M) - MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

Hersteller Teilenummer

TK4A60DB(STA4,Q,M)

Interne Teilenummer

ABC-TK4A60DB(STA4,Q,M)

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

51072 Pieces

Referenzpreis

~~USD 0~~

Unser Preis

- (Bitte kontaktieren Sie uns für einen besseren Preis: [email protected])

ABC Semiconductor hat TK4A60DB(STA4,Q,M) auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für TK4A60DB(STA4,Q,M). Unsere E-Mail: [email protected]

Versandoptionen und Lieferzeit:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Zahlungsmöglichkeiten:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Technische Daten für TK4A60DB(STA4,Q,M)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK4A60DB(STA4,Q,M)

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

Serie : π-MOSVII

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 35W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220SIS

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : TK4A60 , TK4A60DB(

Dokumente für TK4A60DB(STA4,Q,M)

Datenblätter : TK4A60DB(STA4,Q,M).pdf

Verwandte Produkte für TK4A60DB(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	Marke	Beschreibung
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 20KV SCREW.
C917U520JYSDAAWL45	KEMET	Ceramic Capacitors 52PF 400VAC SL RADIAL.
WI140266WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 14KV SCREW.
TF170279BQ50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 25KV R85.
12065C223KHT1A	AVX Corporation	Ceramic Capacitors 0.022UF 50V X7R 1206.
BZ118078WV75036CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 75PF 30KV AXIAL.
WF110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4700PF 14KV SCREW.
04026W105KAT2A	AVX Corporation	Ceramic Capacitors 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R
TF170311WW40236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 32KV R85.
WF165380WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
CDR33BP302AJWSAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 3000PF 50V BP 1210.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 16KV SCREW.
VJ0603Q3R3CEAAO	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 3.3PF 50V C0G/NP0 0603.
CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 10000PF 100V BP 1825.
WX095162WJ25236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 14KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 1000PF 100V BP 1206.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	Ceramic Capacitors 8.1PF 25V NP0 0402.
PEF220WH10338BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 13KV R230 DISK.
PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 20KV R230 DISK.