SI6467BDQ-T1-GE3 - MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP

Hersteller Teilenummer

SI6467BDQ-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI6467BDQ-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SI6467BDQ-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI6467BDQ-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 850mV @ 450µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.05W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-TSSOP

Paket / fall : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI646 , SI6467BD

Dokumente für SI6467BDQ-T1-GE3

Datenblätter : SI6467BDQ-T1-GE3.pdf

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