BSO615N - MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

Hersteller Teilenummer

BSO615N

Interne Teilenummer

ABC-BSO615N

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

48659 Pieces

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Technische Daten für BSO615N

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSO615N

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

Serie : SIPMOS®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 25V

Leistung max : 2W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : PG-DSO-8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für BSO615N

Datenblätter : BSO615N.pdf

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