BUK9Y9R9-80E,115 - MOSFET N-CH 80V LFPAK

Hersteller Teilenummer

BUK9Y9R9-80E,115

Interne Teilenummer

ABC-BUK9Y9R9-80E,115

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 80V LFPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

46046 Pieces

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Technische Daten für BUK9Y9R9-80E,115

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BUK9Y9R9-80E,115

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 80V LFPAK

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : -

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : LFPAK56, Power-SO8

Paket / fall : SC-100, SOT-669

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BUK9Y , BUK9Y9R9

Dokumente für BUK9Y9R9-80E,115

Datenblätter : BUK9Y9R9-80E,115.pdf

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