70T3339S200BC - IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller Teilenummer

70T3339S200BC

Interne Teilenummer

ABC-70T3339S200BC

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Kurze Beschreibung

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

34221 Pieces

Referenzpreis

~~USD 77.3275~~

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Technische Daten für 70T3339S200BC

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 70T3339S200BC

Hersteller : IDT, Integrated Device Technology Inc

Beschreibung : IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : SRAM

Technologie : SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße : 9Mb (512K x 18)

Taktfrequenz : 200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : 3.4ns

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 2.4V ~ 2.6V

Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 256-LBGA

Supplier Device Package : 256-CABGA (17x17)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für 70T3339S200BC

Datenblätter : 70T3339S200BC.pdf

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