S8CJHM3/I - DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB

Hersteller Teilenummer

S8CJHM3/I

Interne Teilenummer

ABC-S8CJHM3/I

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für S8CJHM3/I

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : S8CJHM3/I

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 985mV @ 8A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 4µs

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F : 79pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-214AB, SMC

Supplier Device Package : DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für S8CJHM3/I

Datenblätter : S8CJHM3/I.pdf

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