RDN080N25FU6 - MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Hersteller Teilenummer

RDN080N25FU6

Interne Teilenummer

ABC-RDN080N25FU6

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

32288 Pieces

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Technische Daten für RDN080N25FU6

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RDN080N25FU6

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 543pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 35W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220FN

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : RDN0 , RDN080

Dokumente für RDN080N25FU6

Datenblätter : RDN080N25FU6.pdf

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