SI5999EDU-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK

Hersteller Teilenummer

SI5999EDU-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI5999EDU-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

52442 Pieces

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Technische Daten für SI5999EDU-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI5999EDU-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 496pF @ 10V

Leistung max : 10.4W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : PowerPAK® ChipFET™ Dual

Supplier Device Package : PowerPAK® ChipFet Dual

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI599 , SI5999ED

Dokumente für SI5999EDU-T1-GE3

Datenblätter : SI5999EDU-T1-GE3.pdf

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