DMT8012LSS-13 - MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Hersteller Teilenummer

DMT8012LSS-13

Interne Teilenummer

ABC-DMT8012LSS-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMT8012LSS-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMT8012LSS-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1949pF @ 40V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SO

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMT8012LSS-13

Datenblätter : DMT8012LSS-13.pdf

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